절연막 형성 공정을 단순화시키는 수직 박막 트랜지스터
출원번호
1020180037454
등록번호
1020461270000
권리구분
특허권
권리기간
2018-03-30 ~ 2038-03-30
문의처
041-540-5241
기관의 인기특허
기술 정보
발명명칭
수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법
기술분야
반도체 소자
거래방식
#특허판매#노하우#라이선스#연구협력
매도가격
가격 협의
문의처
041-540-5241
기술 소개
기술 요약
- 본 발명은 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열처리를 통하여 금속 전극의 계면을 산화시켜 게이트 절연막을 형성함으로써, 종래와 같이 게이트 절연막의 형성을 위해 별도의 절연재료가 요구되지 않으면서도 매우 얇은 절연막이 가능함과 동시에 채널 길이를 대폭 단축할 수 있는 수직 구조 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
매도/수 절차
절차과정