반도체 박막트랜지스터의 제조방법
출원번호
1020160014562
등록번호
1017854680000
권리구분
특허권
권리기간
2017-09-29 ~ 2037-09-29
문의처
041-540-5241
기관의 인기특허
기술 정보
발명명칭
반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체 박막트랜지스터
기술분야
거래방식
#특허판매#노하우#라이선스#연구협력
매도가격
가격 협의
문의처
041-540-5241
기술 소개
특허요약
- 본 발명은 양극산화된 금속산화물을 포함하는 반도체층이 형성된 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체 박막트랜지스터에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 위에 양극산화 가능한 금속층을 증착하는 단계; 상기 증착된 금속층에 포토레지스터를 도포한 후 마스크를 씌우고 노광하여 상기 금속층의 소정 부분에 양극산화 영역을 형성하는 단계; 및 상기 양극산화 영역에 도핑 가능한 도핑 화합물을 함유하는 전해질에서 상기 양극산화 영역의 금속층을 양극산화를 하여 소스전극, 상기 도핑 화합물이 도핑되고 양극산화된 반도체층및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 박막트랜지스터의 제조 방법을 제공하며, 이에 따른 반도체 박막트랜지스터를 제공한다.
기술가치
- 기술 개발이 완료되어 있으며, 기술 개량 정도가 보통이지만 최신의 선도 기술이고, 권리적인 측면에서는 평가대상 특허기술의 핵심내용이 청구항에 제한적으로 반영되어 있어서 어려움 없이 회피설계가 가능
시장가치
- 상용화 가능성은 있으나 장기간이 필요하고, 산업적 파급 효과가 큼
대상기업
- 소스/드레인 전극과 반도체층 사이의 불순물의 유입이나 자연 산화 혹은 기타 절연재료의 오염 등에 의한 특성의 저하를 막고 불량율을 감소시켜 트랜지스터의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체 박막트랜지스터 제품을 개발중인 반도체 업체, 전자 부품 제조 업체가 대상
매도/수 절차
절차과정