반응성 이온빔 펄스를 이용한 MRAM 물질 식각방법
출원번호
1020140041935
등록번호
1015298210000
권리구분
특허권
권리기간
2014-04-08 ~ 2034-04-08
문의처
031-290-5085
기관의 인기특허
기술 정보
발명명칭
반응성 이온빔 펄스를 이용한 ＭＲＡＭ 물질 식각 방법
기술분야
MRAM 물질 식각
거래방식
#특허판매#노하우#라이선스#연구협력
매도가격
가격 협의
문의처
031-290-5085
기술 소개
기술개요
- 본 기술은 반응성 이온빔 펄스 구조를 이용하여 식각 부산물 형성을 억제하고 저손상 특성을 갖는 MRAM 물질 식각방법에 관한 것으로, 다음과 같은 특징이 있습니다.
- 식각시 발생할 수 있는 물리적 또는 화학적 손상을 최소화하는 MRAM 물질 식각방법 제공
- 휘발성 높은 식각 부산물을 생성하여 별도의 배기과정이 요구되지 않는 MRAM 물질 식각방법 제공
- 식각 부산물의 재증착을 최소화하여 고속, 고신뢰의 소자 제작
기술내용
- 반응성 가스를 기판표면에 흡착단계 ->피식각층과 제1서브층과의 결합 에너지보다 크고 제1 서브층과 제2서브층과의 결합에너지보다 작은 에너 지를 갖도록 가속된 반응성 이온빔을 피식각층 표면에 조사하여 피식각층을 탈착단계
기술의 완성도(TRL)
매도/수 절차
절차과정
연구자의 보유기술
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